英特尔携手美光推出20纳米制程技术NAND闪存

2011 年 4 月 14 日，加利福尼亚州圣克拉拉市和爱达荷州博伊西市——英特尔公司和美光科技公司今天针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20纳米(nm)制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元(MLC)NAND闪存设备，这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘(SSD)等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。

数据存储量的增长与平板电脑和智能手机功能的增强，对NAND闪存技术带来了新的需求，对缩小其体积和提高其容量的需求尤为强烈。英特尔公司与美光公司推出的全新20纳米制程8GB NAND设备尺寸仅为118平方毫米，与两家公司基于现有的25纳米NAND制程的8GB NAND设备相比，可节约30%-40%的主板空间(取决于封装类型)。这种闪存布局上的节省可让平板电脑和智能手机生产商将额外的空间用于最终产品的改进，例如增加电池容量、扩大屏幕尺寸或增加芯片数量来支持新的功能，从而实现更高的系统级效率。

全新的20纳米制程8GB设备由英特尔与美光的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies(IMFT)公司生产，它是NAND制程和技术设计上的一次重大突破，进一步巩固了两家公司在光刻技术方面的领先地位。由于该技术与现有技术相比能够帮助晶圆工厂增加约50%的产品容量，因此将NAND光刻技术升级为这一全新技术是提高晶圆工厂产量的一种最为经济高效的方法，而且全新20纳米NAND制程技术还保持了与前一代25纳米NAND制程技术相当的性能和耐用性。

美光科技公司NAND解决方案事业部副总裁Glen Hawk表示：“与客户紧密协作是美光的核心价值之一，通过这些努力，我们不断发现具有竞争力的NAND闪存最终产品设计机遇。20纳米NAND制程技术是我们创新和成长的延续，它让美光可以为客户提供更具性价比的增值固态存储解决方案。”

英特尔公司副总裁兼非易失性存储器解决方案事业部总经理Tom Rampone表示：“英特尔的目标是支持用户能够快速、经济地访问全球范围内的信息。处于行业领先地位的NAND制程技术让英特尔有能力为客户提供一代又一代具备最高品质、且最为经济高效的解决方案。随着在业界持续引领制程技术的发展，以及快速完成我们整个晶圆工厂网络在光刻技术上向更先进、更精密的技术的升级，英特尔与美光的合资企业已堪称制造业的一个典范。”

20纳米制程8GB设备目前尚处于样品阶段，它有望于2011年下半年进入量产阶段。英特尔和美光还希望届时推出一款16GB设备的样品，它可在一个比美国邮票还小的单个固态存储解决方案中提供高达128GB的存储容量。