日本大地震对NAND闪存市场影响评估

　　3月11日下午在日本东北(Tohoku)地区发生9.0级大地震，天灾消息传出后，已对近期的NAND Flash市场带来新的变量，由于目前日本震灾后的损失状况及基础设施的复原进度信息仍不太清晰，故我们仅先就现有的相关信息对NAND Flash市场做初步的可能影响评估：

　　我们认为NAND Flash市场初期在震灾区信息不明及业者预期可能缺货等不确定因素的影响下，现货市场本周开盘便先行出现恐慌性的急涨，连带地也带动了三月上旬主流NAND Flash合约均价大涨约5-15%左右，目前NAND Flash市场关切的供给面不确定性因素主要有二个：1.)震灾后IC上游原物料供应状况可能会吃紧，2.)东芝位于四日市(Yokkaichi)的NAND Flash厂区于震灾期间的晶圆受损状况不明。

　　1.) 因为NAND Flash上游原物料及设备供货商的厂房有些是位于日本东北及关东地区，故因震灾过后造成当地限电或供电不稳，以及联外运输基础设施损毁等因素，将可能给下游NAND Flash厂商带来维持正常稳定生产上的不确定性，尤其是信越化学(Shin-Etsu Chemical)有部份的IC硅晶圆产能是来自福岛县(Fukushima)的白河(Shirakawa)厂，目前仍在停工检修中，且另一家全球主要供货商胜科(Sumco)在山形(Yamagata)县的米泽(Yonezawa)厂也目前也暂时停工检修中，另外受损的福岛核电厂迄今仍未修复也将造成当地的供电问题。

　　由于日本位于地震带上，故日本的半导体相关业者对厂房设施的设计及建造均有预先做防震的考虑，故此次大地震期间多数半导体相关业者的厂房设备并未发生严重的损毁状况，故震灾后的供电不稳目前成为灾区厂商生产上的主要问题；再者，据我们了解目前主要NAND Flash厂商都有采取分散硅晶圆采购来源的政策，一般而言，业者们的硅晶圆库存水位约在1.5-2月左右，短期而言，尚不至于影响到NAND Flash厂商的正常生产，但由于信越是全球主要的IC硅晶圆供货商之一，若信越的白河厂能在一个月内回复到正常稳定的生产状况，应该就不致于会使IC业者在2Q11面临硅晶圆供货可能趋紧的状况，有鉴于震灾后许多国家纷纷投入协助日本的救灾，且日本民众震灾后表现出冷静团结坚毅地抢修灾区下，我们相信东北灾区的限电问题应该能尽早获得解决；此外，目前NAND Flash厂商们对2ynm & 1xnm等新制程技术的微缩显影(lithography)设备，大多数将会以采用非日系的供货商为主，故预期在这方面也将不会对业者未来的生产计划有所影响。

　　2.) 据了解Toshiba/SanDisk位于关西(Kansai)地区四日市的300mm Fab 3 & Fab 4合资厂，因距离日本东北9.0级震央约500哩(miles)，故在3月11日仅受到约2-3级的地震影响，他们的厂房设备并未受损，且上周五在短暂停工检修及校正调整机台后，随即业已回复到正常的生产状况，但该厂区仍会因大地震的影响而产生一些晶圆投片的减损，我们初步估计自上周日本地震频发以来该阵营所产生的晶圆投片减损量，可能会造成Toshiba/SanDisk在1H 2Q11的总产出量减少10%以下，在其他NAND Flash厂商暂未增加2Q11供给量的情况下，我们初步预估此次日本大地震将可能造成2Q11全球NAND Flash总位供给量减少约4%以下。

　　就2Q11 NAND Flash市场的展望而言，虽然Toshiba/SanDisk阵营的供给量减少将可能为2Q淡季带来新的利多因素，但由于来自non-Apple的平板计算机厂商的2Q11出货量也可能不如先前市场的预期多，再加上3到6月仍是处于记忆卡及UFD通路市场的传统淡季，而短期内日本市场对NAND Flash终端产品的需求也可能会比厂商原先预期的弱，此外，万一发生某些关键原料零件短缺或短期内原物料成本上涨过大，也可能对NAND Flash终端应用产品的短中期出货量及销货量带来不利的影响，故我们在考虑这些主要的市场多空因素后，预期2Q11的供过于求缺口可能会因震灾影响而缩小。

　　我们预期地震刚发生后NAND Flash现货市场在预期可能缺货的恐慌性心理下会出现比较大的急涨，但随着上述的两个主要供给面上的不确定状况在稍后将会趋于较明朗后，市场的反应将会趋于理性，而使得市场价格较能反应真实的2Q11供需状况而趋于缓和，之后在2Q11中日本震灾区的复原状况及NAND Flash供给量也将会获得进一步地改善下，我们预期2Q淡季效应也将会逐渐发酵而使价格随之而走软，故在日本地震意外使3月份原先因2Q淡季及1Q季底效应下跌的走势成反转成为止跌急弹的状况下，故我们初步预估2011年的NAND Flash ASP的年跌幅将可能会略为减缓。